Noul modul de alimentare de 1700v sic

ROHM a anunțat dezvoltarea unui modul de putere SiC de 1700V / 250A, care asigură un nivel ridicat de fiabilitate optimizat pentru aplicațiile invertorului și convertorului, cum ar fi sistemele de generare a energiei exterioare și sursele de alimentare industriale mari

În ultimii ani, datorită beneficiilor sale de economisire a energiei, SiC are o adoptare mai mare în aplicațiile de 1200V, cum ar fi vehiculele electrice și echipamentele industriale. Tendința către o densitate mai mare a puterii a dus la tensiuni mai mari ale sistemului, crescând cererea pentru produse de 1700V. Cu toate acestea, a fost dificil să se obțină fiabilitatea dorită și, prin urmare, IGBT-urile sunt în general preferate pentru aplicațiile de 1700V. Ca răspuns, ROHM a reușit să atingă o fiabilitate ridicată la 1700V, menținând în același timp performanța de economisire a energiei produselor sale populare SiC de 1200V, realizând prima comercializare cu succes a modulelor de putere SiC de 1700V.

BSM250D17P2E004 utilizeaza noi metode de construcție și materiale pentru a preveni de degradare și a stopării dielectrice creșteri în curent de scurgere de acoperire. Ca rezultat, se obține o fiabilitate ridicată care previne defectarea dielectrică chiar și după 1.000 de ore sub testarea de polarizare a umidității ridicate la temperatură ridicată (HV-H3TRB). Acest lucru asigură funcționarea de înaltă tensiune (1700V) chiar și în medii severe de temperatură și umiditate.

Prin încorporarea MOSFET-urilor SiC dovedite de ROHM și a diodelor de barieră SiC Schottky în același modul și optimizarea structurii interne face posibilă reducerea rezistenței la pornire cu 10% față de alte produse SiC din clasa sa. Acest lucru se traduce prin economii de energie îmbunătățite și reducerea disipării căldurii în orice aplicație.

Caracteristici cheie

1. Obține cel mai înalt nivel de fiabilitate în medii cu temperatură ridicată și umiditate ridicată

Acest ultim modul de 1700V introduce o nouă metodă de ambalare și materiale de acoperire pentru a proteja cipul, care permite realizarea primei comercializări cu succes a unui modul SiC de 1700V, trecând testele de fiabilitate HV-H3TRB.

De exemplu, în timpul testării la umiditate ridicată la temperatură ridicată, BSM250D17P2E004 a prezentat fiabilitate superioară, fără erori, chiar și atunci când se aplică 1.360V pentru mai mult de 1.000 de ore la 85 ° C și 85% umiditate, spre deosebire de modulele convenționale IGBT care de obicei nu reușesc în decurs de 1.000 de ore din cauza dielectricității pană. Pentru a asigura cel mai înalt nivel de fiabilitate, ROHM a testat curentul de scurgere al modulelor la diferite intervale, cu cel mai înalt nivel de tensiune de blocare 1700V.

2. Rezistența superioară la pornire contribuie la economii mai mari de energie

Combinarea diodelor de barieră ROHM SiC Schottky și a MOSFET-urilor în cadrul aceluiași modul face posibilă reducerea rezistenței la pornire cu 10% comparativ cu alte produse din clasa sa, contribuind la economii de energie îmbunătățite.

Partea nr.	Evaluări maxime absolute (Ta = 25 ° C)	Inductanță (nH)	Pachet (mm)	Termistor
VDSS (V)	VGS (V)	ID (A)	Tj max (ºC)	Tstg (ºC)	Visol (V)
BSM080D12P2C008	1200	-6 la 22	80	175	-40 până la 125	2500	25	Tipul C 45,6 x 122 x 17	N / A
BSM120D12P2C005	120
BSM180D12P3C007	-4 la 22	180
BSM180D12P2E002	-6 la 22	180	13	Tipul E 62 x 152 x 17	DA
BSM300D12P2E001	300
BSM400D12P3G002	-4 la 22	400	10	Tipul G 62 x 152 x 17
BSM600D12P3G001	600
BSM250D17P2E004	1700	-6 la 22	250	3400	13	Tipul E 62 x 152 x 17