Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a introdus GT20N135SRA, un IGBT discret de 1350V pentru aragaz IH de masă, aragazuri IH pentru orez, cuptoare cu microunde și alte aparate de uz casnic care utilizează circuite de rezonanță de tensiune. IGBT are o tensiune de saturație colector-emițător de 1,75 V și o tensiune de transmisie a diodei de 1,8 V, care este cu aproximativ 10% și, respectiv, cu 21% mai mică decât pentru produsul curent.
Atât IGBT, cât și dioda au caracteristici îmbunătățite de pierdere a conducției la temperatură ridicată (T C = 100 ℃), iar noul IGBT poate ajuta la reducerea consumului de energie al echipamentelor. De asemenea, prezintă o rezistență termică de joncțiune la carcasă de 0,48 ℃ / W cu aproximativ 26% mai mică decât cea a produselor actuale, permițând designuri termice mai ușoare.
Caracteristici ale GT20N135SRA IGBT
- Pierdere scăzută de conducere:
VCE (sat) = 1,6V (tip.) (@ IC = 20A, VGE = 15V, Ta = 25 ℃)
VF = 1,75V (tip.) (@ IF = 20A, VGE = 0V, Ta = 25 ℃)
- Rezistență termică redusă de joncțiune la carcasă: Rth (jC) = 0,48 ℃ / W (max)
- Suprimă curentul de scurtcircuit care curge prin condensatorul de rezonanță atunci când echipamentul este pornit.
- Zona de operare largă și sigură
Noul IGBT poate suprima curentul de scurtcircuit care circulă prin condensatorul de rezonanță la pornirea echipamentului. Valoarea de vârf a curentului său de circuit este de 129A, reducere de aproximativ 31% față de produsul curent. GT20N135SRA face designul echipamentului mai ușor în comparație cu celelalte produse similare disponibile astăzi, deoarece zona sa de operare sigură este lărgită. Pentru mai multe detalii despre GT20N135SRA, vizitați site-ul oficial al Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.